查看完整版本: 来看新旧内存的差别

来看新旧内存的差别

近来，常有客户询问关于内存的问题，也就是DDR3与DDR2的问题，下面我们来简单看下二者的区别。

先从图片上看
[attach]24393[/attach]这是我们熟悉的DDR2内存，现在很便宜。
[attach]24394[/attach]这是新来的DDR3内存，现在可是不好买哦。
[color=red]从图片上，我们能轻易的看出二者的大小是相同的
值得注意到是，二者接口是不同的，这意味着二者是不能通用的。[/color]

下面来仔细说说二者的具体不同
DDR2与DDR3的区别1、逻辑Bank数量
[size=0px]最好的电脑自学交流论坛: A; b9 o: B& P1 o7 [[/size]
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
     寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

5、新增功能——ZQ校准
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

6、参考电压分成两个
对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级

7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）
为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）
这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。

9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）
这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。

[color=red][b]更多内容请访问[/b][/color][url=http://www.UPNB.COM][color=red][b]WWW.UPNB.COM[/b][/color][/url]

[[i] 本帖最后由 大牛 于 2008-9-17 15:28 编辑 [/i]]

支持支持，解决了偶的疑问。:开心死了
大牛不是一般的牛，兄弟顶你。:狂叫

回复 2# 的帖子

多谢捧场啊，多来，多看

这个东西来得及时，谢谢楼主，长知识了。

解决问题，及时的帖子

好贴，顶了！加油哈！

了解了解~~~

值得学习啊 :好主意 顶一个

不错不错 好东西

我要DDR3，谁给我的主板改造下

我胡汉三又回来啦，哈哈哈

[quote]原帖由 [i]mzg_1028[/i] 于 2008-9-18 13:31 发表 [url=http://www.upnb.com/bbs/redirect.php?goto=findpost&pid=230082&ptid=117898][img]http://www.upnb.com/bbs/images/common/back.gif[/img][/url]
我胡汉三又回来啦，哈哈哈 [/quote]
什么意思哈？:唉~

不错,学习了,楼主加油!:加油

我的要求不高，DDR22G就够了，不是专业人员

好东西 俺来顶一个:好主意

学到了不少东西

不错啊！支持:失落

大牛说t400a98是ddr3 的么??

那现在有哪款软件能测试出来不??
:)

回复 18# 的帖子

你打开机器盖，看看上面写着呢，不用拆的

[quote]原帖由 [i]大牛[/i] 于 2008-9-22 22:02 发表 [url=http://www.upnb.com/bbs/redirect.php?goto=findpost&pid=231641&ptid=117898][img]http://www.upnb.com/bbs/images/common/back.gif[/img][/url]
你打开机器盖，看看上面写着呢，不用拆的 [/quote]
晕,太麻烦了...

还要打开?
直接来张截图算了;)