RDRAM

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Rambus DRAM

• 英文名称：RDRAM(Rambus DRAM)
• 中文译名：存储器总线式动态随机存储器
• 是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的新型DRAM，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。
• Rambus DRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的64bit，由于Rambus DRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。 Rambus DRAM的认证机制也较为严格，其认证测试包括DirectRDRAM元件、RIMM模块、RIMM连接器和DirectRDRAM时钟发生器。以确保与Intel的系统保持百分百的兼容。

相关资料

• 参见： SDRAM